Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC115EK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC115
PDTC115EK,115 Hakkında
PDTC115EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençlerine sahiptir. 250mW güç kapasitesi ve maksimum 20mA kolektör akımı ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Gömülü 100kOhm base ve emitter-base dirençleri sayesinde, dış bağlantı işlemleri minimalize edilerek, otomotiv, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol sistemlerinde sinyal işleme ve lojik seviye dönüşümü için yaygın olarak uygulanır. Maksimum VCE(sat) değeri 150mV'dır. Not: Bu ürün üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok