Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC115EEF,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Seri / Aile Numarası
- PDTC115
PDTC115EEF,115 Hakkında
PDTC115EEF,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SC-89 (SOT-490) surface mount paketinde sunulan bu komponent, maksimum 250mW güç tüketimi ile çalışır. Dahili 100kΩ base ve 100kΩ emitter-base dirençleri ile pre-biased konfigürasyon sunar. 20mA kollektör akımına kadar çalışabilir, 50V Vce breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 5mA akımda 80 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Lojik seviyeleri sürüş, anahtarlama uygulamaları ve sinyal işlemede kullanılır. Kompakt boyutu ve entegre bias dirençleri, PCB alanından tasarruf sağlayan uygulamalar için uygun kılmıştır. Bileşen şu anda obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-89 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok