Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114YS,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC114YS
PDTC114YS,126 Hakkında
PDTC114YS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-92-3 (TO-226AA) through-hole paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mW güç dağıtımı, 100mA kolektör akımı ve 50V Vce(br) kırılım gerilimi ile karakterize edilir. Dahili olarak 10kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci içeren bu transistör, 100@5mA,5V DC akım kazancına sahiptir. Vce doyum gerilimi maksimum 100mV'dir. Hızlı anahtarlama uygulamaları, sinyal yükseltme devrelerinde ve kontrol uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Komponent Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok