Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114YQBZ
PDTC114YQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC114
PDTC114YQBZ Hakkında
PDTC114YQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter direnç ağlarına sahiptir (R1: 10kΩ, R2: 47kΩ). Maksimum 100mA kolektör akımı, 180MHz transition frekansı ve 50V Vce(breakdown) değerleriyle genel sinyal seviyesi uygulamalarında kullanılır. 340mW maksimum güç kapasite ve 100mV satürasyon voltajı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygun tasarlanmıştır. PCB'lere yüzey montajı yapılabilen bu transistör, ön beslemeli yapısı sayesinde ek biyazlama devrelerine ihtiyaç duymaz. Endüstriyel kontrol, analog sinyali dijitalleştirme, güç anahtarlaması ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok