Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTC114YQAZ

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PDTC114

PDTC114YQAZ Hakkında

PDTC114YQAZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. 3-XDFN yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter dirençleri ile birlikte gelir. 100mA maksimum collector akımı, 230MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve işaret amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimi (280mW max) ve kompakt boyutu sayesinde taşınabilir cihazlar, IoT elektronikleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 10kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci ile önceden ayarlanmış yapısı, tasarım kolaylığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 230 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 280 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package DFN1010D-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok