Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114YE,115
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTC114YE
PDTC114YE,115 Hakkında
PDTC114YE,115 NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör, NXP Semiconductors tarafından üretilmektedir. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 100mA kolektör akımı ve 50V kollektör-emiter kırılma gerilimi ile çalışır. Entegre 10kΩ baz direnci ve 47kΩ emiter-baz direnci ile yazılı tasarımda hızlı ön-yükleme sağlar. 100mV doyma gerilimi ve 100mA maksimum akımda 100 minimum DC akım kazancı ile sunulmaktadır. Analog anahtarlama, darbe işleme ve düşük güç amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Küçük sinyal işleme, kontrol devreleri ve sensör arayüzü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Halen üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok