Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTC114ET/DG/B4,21

TRANS PREBIAS NPN

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTC114ET

PDTC114ET/DG/B4,21 Hakkında

PDTC114ET/DG/B4,21, Nexperia tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, giriş ve emitter tabanında entegre 10kΩ direnç içerir. 100mA maksimum kollektör akımı, 50V kesinti gerilimi ve 230MHz geçiş frekansı özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250mW güç yeteneği ve 30 minimum DC akım kazancı ile lojik seviyeleri kontrol etmek, küçük akımları anahtarlamak ve darbe şekillendirme devrelerinde tercih edilir. Düşük satürasyonlu yapısı (150mV @ 10mA) enerji tasarruflu tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 230 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok