Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTC114ET-QVL

TRANS PREBIAS NPN/PNP

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTC114ET

PDTC114ET-QVL Hakkında

PDTC114ET-QVL, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistörüdür. İçerisinde entegre base ve emitter-base direnç ağlarını barındırır. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı, 230MHz transition frekansı ve 50V VCEO break-down voltajı ile çalışır. 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri sayesinde bağımsız bias ağı tasarımı gerekmeden hızlı uygulanabilir. Düşük güç tüketimi (250mW max) ile anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında, özellikle dijital logic seviyeleri ile sürülen yüksek aç/kapa hızı gereken devrelerde tercih edilir. Aktif durum parçasıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 230 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok