Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114ES,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC114ES
PDTC114ES,126 Hakkında
PDTC114ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 500mW güç derecelendirmesine ve 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. Dahili 10kΩ base ve emitter-base dirençleri ile önceden yapılandırılan yapısı sayesinde, basit anahtarlama uygulamalarında harici biasing bileşenlerine ihtiyaç duymadan kullanılabilir. 50V BVCEO ve 150mV Vce(sat) özellikleri ile güç yönetimi ve kontrol devrelerinde, sinyal anahtarlamasında ve lojik seviyelendirmesi gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Entegre direnç yapısı, PCB alanı tasarrufu ve basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok