Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114EQBZ
PDTC114EQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC114EQ
PDTC114EQBZ Hakkında
PDTC114EQBZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. 3-XDFN DFN1110D-3 paketinde sunulan bu bileşen, gömülü base ve emitter direnişleri (her biri 10 kΩ) ile birlikte gelir. 100 mA maksimum collector akımı, 50 V breakdown voltajı ve 180 MHz transition frekansı ile karakterize edilmiştir. 340 mW güç derecelendirmesine sahiptir. Saturation voltajı 100 mV'dir (500 µA Ib, 10 mA Ic koşullarında). Yüzey montajlı wettable flank paketlemesi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. Bu transistör anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle kompakt tasarımlar ve otomatik assembly işlemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok