Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114EMB,315
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
PDTC114EMB,315 Hakkında
PDTC114EMB,315, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. DFN1006B-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımında çalışabilir. 230 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Entegre 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri sayesinde ön beslemeli konfigürasyonda kullanıma hazırdır. Maksimum 250mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında, sinyal anahtarlaması, lojik seviyeleri sürme ve dijital devreler için tercih edilir. DC current gain (hFE) minimum 30 değerindedir (5mA, 5V şartlarında). Aktif üretimde olan bu transistör, kompakt PCB tasarımları gerektiren tüketici elektroniği ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok