Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114EM,315
NPN RESISTOR-EQUIPPED TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- PDTC114EM
PDTC114EM,315 Hakkında
PDTC114EM,315, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN ön beslemeli transistördür (pre-biased BJT). Base ve Emitter-Base pinlerinde sırasıyla 10kΩ entegre dirençler bulunur. 100mA maksimum kollektör akımı, 250mW güç yönetimi kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 50V breakdown voltajı ve 150mV doyum voltajı (saturation) ile anahtarlama devrelerinde, küçük sinyal amplifikasyonunda ve lojik seviyeleri uygulamada tercih edilir. Surface mount SC-101/SOT-883 paketinde sunulan bu transistör, gömülü sistemler, sürücü devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok