Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114EK,135
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC114EK
PDTC114EK,135 Hakkında
PDTC114EK,135, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT paketinde sunulan bu komponent, 250mW güç kapasitesine ve maksimum 100mA kolektör akımına sahiptir. Transistör içerisinde temel ön yükleme için 10kΩ direnç entegrasyonuna sahip olup, 50V VCE(BR)DSS gerilim sınırına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 5mV ve 5V koşullarında minimum 30 değerine ulaşmaktadır. Düşük güç uygulamalarında sürücü devrelerine, sinyal anahtarlamaya ve lojik seviye değiştirme işlemlerine uygun bir tasarımdır. Yüksek yoğunluk PCB tasarımlarında tercih edilen yüzey montajı yapısı sayesinde endüstriyel elektronik, tüketici elektroniği ve oto mobilya endüstrisinde yaygın olarak kullanılır. Komponent güncel üretimde olmayıp, yerini daha yeni versiyonlar almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok