Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC114EK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC114
PDTC114EK,115 Hakkında
PDTC114EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, 250 mW güç sınırlaması ve maksimum 100 mA kolektör akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Entegre 10 kOhms taban ve emiter-taban dirençleri ile yapılandırılan bu transistör, hızlı switching uygulamaları ve dijital mantık devre interfacing'inde kullanılır. 50V kolektör-emiter bozulma voltajı ve 150mV saturasyon voltajı özellikleri ile düşük sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama görevlerinde uygulanabilir. SMT3 paketi küçük alan gereksinimleri olan endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Not: Bu ürün güncel üretim durumunda değildir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok