Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB143XQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTB143
PDTB143XQAZ Hakkında
PDTB143XQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Maksimum 500mA kolektör akımı ve 150MHz transition frequency ile çalışan bu komponent, 3-XDFN yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. İntegre 4.7kΩ baz direnci ve 10kΩ emitter-baz direnci ile donatılmış olup, 50V kolektör-emitter breakdown voltajına sahiptir. 325mW maksimum güç tüketimi ve 100mV saturation voltajı ile karakterize edilen bu transistör, anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında, özellikle de hızlı komutasyon gerektiren düşük güç devrelerinde kullanılır. Ön beslemeli yapısı sayesinde ek biyazlandırma dirençlerine ihtiyaç duymadan direkt olarak logic seviyesinden kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok