Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB143EQA147
PDTB143EQA SMALL SIGNAL FET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTB143EQA
PDTB143EQA147 Hakkında
PDTB143EQA147, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. Surface mount 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri (her biri 4.7 kΩ) ile doğrudan kullanıma hazırlanmıştır. Maksimum 500 mA kolektör akımı, 50 V kırılma gerilimi ve 150 MHz geçiş frekansı ile düşük sinyalli anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 325 mW güç derecelendirmesi ile lojik seviye tetikleme, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı düşük güçlü devre tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok