Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123YT,215
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
PDTB123YT,215 Hakkında
PDTB123YT,215, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 500mA kollektör akımı kapasitesine sahiptir. İç yapısında entegre 2.2kΩ base direnci ve 10kΩ emitter-base direnci bulunmaktadır. DC akım kazancı (hFE) 50mA, 5V koşullarında minimum 70 değerine ulaşır. Maksimum 250mW güç dissipasyonu ile çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle ön beslemeli konfigürasyonlarda tercih edilir. Aktif durumda kullanılan cihazlarda, sinyal işleme devrelerinde ve kontrol elektroniklerinde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok