Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123YS,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB123YS
PDTB123YS,126 Hakkında
PDTB123YS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 500mW güç kapasitesine ve 500mA maksimum kollektör akımına sahiptir. Entegre 2.2kΩ taban direnci ve 10kΩ emiter-taban direnci ile donatılmıştır. 50V kollektör-emiter kesilme gerilimi ve 70 minimum DC akım kazancı (hFE) ile küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel kontrol, otomobil elektroniği ve tüketim ürünleri gibi alanlarda sinyal işleme ve lojik seviye dönüştürme işlevlerinde yer alır. Not: Üretim durdurulmuş (obsolete) olup, yeni tasarımlar için alternatif bileşen seçimi önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok