Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123YQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTB123
PDTB123YQAZ Hakkında
PDTB123YQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 3-pin DFN paketinde gelen bu komponent, maksimum 500mA kolektör akımı ve 150MHz geçiş frekansı ile entegre edilerek kullanılmaya hazırlanmıştır. İçerisinde 2.2kΩ base direnci ve 10kΩ emitter-base direnci bulunur. Maksimum 325mW güç dissipasyonu kapasitesine ve 50V kolektör-emitter breakdown voltajına sahiptir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye doğrudan montajlanabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve lojik seviyelendirme işlemlerinde kullanılır. Düşük cutoff akımı (500nA) ve güvenilir saturasyon karakteristiği ile kompakt elektronik tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok