Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123YK,115
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB123YK
PDTB123YK,115 Hakkında
PDTB123YK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen Surface Mount PNP ön beslemeli bipolar transistördür. 250 mW güç derecelendirmesi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500 mA kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter kırılım gerilimi ile özelliklenir. Entegre 2.2 kOhm base ve 10 kOhm emitter-base dirençleri sayesinde ön yüklenmiş konfigürasyonda çalışır. Mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Minimum 70 hFE DC akım kazancı ve 300 mV doyum gerilimi ile güvenilir anahtar performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok