Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123TS,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB123TS
PDTB123TS,126 Hakkında
PDTB123TS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. TO-92-3 kasa içerisinde üretilen bu komponent, 500mW güç sınırlamasına ve 50V Vce(br) yıkılma gerilimi özelliğine sahiptir. Dahili 2.2kΩ baz direnci ile konfigüre edilmiştir. Maksimum 500mA kolektör akımı ve minimum 100 DC akım kazancı (hFE) ile çalışır. Satürasyon gerilimi 300mV olup, 2.5mA baz akımında 50mA kolektör akımında ölçülmüştür. Anahtarlama uygulamaları, düşük güç sinyali işlemleri ve lojik seviyelendirme devrelerinde kullanılır. Through-hole montaj türüne uygun tasarlanmıştır. Üretici tarafından kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumda olup, yedek parça olarak tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok