Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123ET,215
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
PDTB123ET,215 Hakkında
PDTB123ET,215, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, maksimum 500 mA kolektör akımı, 50V açılım gerilimi ve 250 mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Gömülü 2.2 kΩ taban ve emitör-taban dirençleri sayesinde harici ön beslemeli devreler gereksinimi ortadan kaldırır. DC akım kazancı (hFE) 50 mA'de, 5V VCE'de minimum 40 değerindedir. 100 nA maksimum ICBO (ters akım) ile düşük sızıntı özelliği sunar. İşaret amplifikasyon, anahtar kontrolü ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok