Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123ES,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB123ES
PDTB123ES,126 Hakkında
PDTB123ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mW güç tüketimine ve 50V kolektör-emitter gerilim dayanımına sahiptir. Maksimum kolektör akımı 500mA, sürekli DC akım kazancı (hFE) 40'tır (50mA, 5V'da). Entegre olarak gömülü 2.2kΩ baz ve 2.2kΩ emitter-baz dirençleriyle, basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, sinyal kontrol devrelerinde ve düşük güçlü lojik arabirimi uygulamalarında kullanılır. Saturasyon gerilimi maksimum 300mV'tur. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok