Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123EQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTB123
PDTB123EQAZ Hakkında
PDTB123EQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 3-XDFN exposed pad paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA collector akımı ve 150MHz transition frequency ile çalışabilir. İçerisinde 2.2kΩ base ve 2.2kΩ emitter-base dirençlerini barındıran entegre yapısı sayesinde ek bileşenlere gerek duymadan kullanılabilir. 325mW maksimum güç yönetimi ile sensör arayüzleri, lojik seviye kaydırıcıları, anahtarlama uygulamaları ve sürücü devrelerinde tercih edilir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ile orta seviye uygulamalarda güvenli çalışma sağlar. Surface mount montajı nedeniyle otomatik üretim proseslerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok