Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB123EK,115
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB123EK
PDTB123EK,115 Hakkında
PDTB123EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli PNP transistördür. Surface Mount TO-236-3 (SOT-23-3) pakette sunulan bu bileşen, maksimum 250 mW güç tüketimiyle çalışabilir. 500 mA maksimum kolektor akımı ve 50V ters yayılma gerilimi ile tasarlanmıştır. Entegre 2.2 kOhm baz ve emitter-baz dirençleriyle önceden önyüklenmiştir, bu da devre tasarımını basitleştirir. 40'lık minimum DC kazanç değeri ve 300mV doyma gerilimi ile hassas anahtarlama uygulamalarında ve düşük akımlı sinyal işlemede kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok