Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTB114ETVL

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTB114E

PDTB114ETVL Hakkında

PDTB114ETVL, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) surface mount paketinde sunulan bu komponent, 500mA maksimum kolektör akımı ve 50V maksimum kolektör-emitter gerilimi ile çalışabilir. Bileşen içerisinde entegre edilmiş 10kΩ base ve emitter-base dirençleri bulunmaktadır. 140MHz transition frequency ve 70 minimum DC current gain (50mA, 5V koşullarında) özellikleriyle darbe ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 320mW maksimum güç dissipasyonu ile logic level anahtarlama, driver devreleri ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Entegre bias ağı sayesinde harici resistör gerekliliğini azaltır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 140 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 320 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok