Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB114ETR
TRANS PREBIAS PNP 0.46W
PDTB114ETR Hakkında
PDTB114ETR, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 500mA maksimum kollektör akımı, 70 @ 50mA DC current gain ve 140MHz transition frequency özellikleri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 10kΩ baz ve emitter-baz dirençleri ile entegre olarak gelir. Maksimum 320mW güç dağıtımı kapasitesi ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile analog anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. Küçük sinyal amplifikasyonu, darbe şekillendirme ve lojik seviye uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 140 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 320 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok