Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB114EQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTB114
PDTB114EQAZ Hakkında
PDTB114EQAZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar junction transistördür. Surface mount 3-XDFN paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500 mA kolektör akımı ve 150 MHz transition frekansına sahiptir. Entegre 10 kΩ base ve emitter-base direnç ağları sayesinde harici ön beslemeli devreler için doğrudan kullanılabilir. 325 mW güç sınırlaması ve 50 V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı 50 mA, 5 V'ta 70'dir. Düşük kesme akımı (500 nA maksimum) ve 100 mV saturation voltajı ile enerji verimli tasarımlara uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok