Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB113ZS,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB113
PDTB113ZS,126 Hakkında
PDTB113ZS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 kapsüllemesi ile Through Hole montajı için tasarlanmıştır. Maksimum 500mW güç tüketim kapasitesine sahip olan bileşen, 50mA kollektör akımında 70 minimum DC akım kazancı (hFE) sağlar. Entegre baz ve emiter baz dirençleriyle (1kΩ ve 10kΩ) hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir. 50V maksimum Vce ile genel amaçlı anahtarlama, sürücü ve düşük güçlü RF uygulamalarında kullanılır. Ürün statüsü eski (Obsolete) olsa da arşiv projeleri ve özel uygulamalarda mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok