Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB113ZQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTB113Z
PDTB113ZQAZ Hakkında
PDTB113ZQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP ön beslemeli bipolar transistördür. 3-XDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, entegre tabanlı ve emitör tabanlı dirençler içermektedir. Maksimum 500mA kolektör akımına, 150MHz geçiş frekansına ve 325mW güç kapasitesine sahiptir. 50V kolektör-emitör kırılım voltajı ile çeşitli uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Ön beslemeli yapısı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamaları, ses amplifikasyonu, düşük sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Küçük form faktörü ve entegre direnç yapısı, kompakt PCB tasarımlarında alan tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok