Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB113ZK,115
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB113ZK
PDTB113ZK,115 Hakkında
PDTB113ZK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) Surface Mount paketi ile sunulan bu komponent, 250mW güç kapasitesi ve maksimum 50V Vce dalgalanması ile çalışır. Entegre 1kΩ ve 10kΩ ön beslemeli dirençler içerir. 500mA maksimum kolektör akımı ve 70 minimum DC akım kazancı (hFE) ile tasarlanmıştır. Düşük güç uygulamaları, sinyal anahtarlaması, amplifikasyon devreleri ve lojik seviye uyarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. Satürasyon voltajı maksimum 300mV'dir. Komponent artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok