Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTB113ET,215

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTB113ET

PDTB113ET,215 Hakkında

PDTB113ET,215, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, 50V kolektör-emitter aralığında çalışır ve maksimum 500mA kolektör akımını destekler. Entegre 1kΩ base ve 1kΩ emitter-base dirençleriyle ön beslemeli yapılandırma sunmaktadır. 250mW maksimum güç disipasyonuna sahip olan transistör, kontrol ve sinyal işleme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve düşük güç lojik devrelerde kullanılır. 50mA'de minimum 33 DC akım kazancı sağlar. Verimli SMD montajı sayesinde kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok