Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB113ES,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB113ES
PDTB113ES,126 Hakkında
PDTB113ES,126 NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, entegre olarak tasarlanmış 1 kOhm base ve emitter-base dirençleri ile gelir. Maksimum 500 mW güç tüketimi ile 500 mA kadar kollektör akımını işleyebilir. Vce doyum voltajı 300mV'dir. Elektronik devrelerde sürücü olarak, switch uygulamalarında ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 33 minimum hFE değeri ile uygun akım kazancı sağlar. Through-hole montajı nedeniyle geleneksel baskı devre kartlarına kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok