Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB113EQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTB113
PDTB113EQAZ Hakkında
PDTB113EQAZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP transistörüdür. 3-XDFN Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımı ve 150MHz transition frequency ile çalışabilir. İçerisinde entegre edilmiş 1kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde direkt kullanıma hazırdır. 50V VCEO breakdown voltajı ve 325mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve drive uygulamalarında kullanılır. Doyum durumunda 100mV'lik düşük VCE değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Taşınabilir cihazlar, IoT uygulamaları ve kompakt elektronik devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok