Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTB113EK,115
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTB113EK
PDTB113EK,115 Hakkında
PDTB113EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, 250mW güç kapasitesine ve maksimum 500mA kolektör akımına sahiptir. Entegre 1kΩ baz ve 1kΩ emitter-baz dirençleriyle birlikte gelen ön beslemeli yapısı sayesinde, basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında ek devre elemanlarına gerek duymadan kullanılabilir. 50V maksimum VCE(Breakdown) ve 300mV maksimum doyma voltajı (VCE sat) ile mantık seviyesi sürüşü, düşük güçlü anahtarlama ve sinyal işleme devrelerine uygun bir seçimdir. Surface mount teknolojisi ile uyumlu tasarımı, kompakt elektronik uygulamalarda geniş kullanım alanı sunar. Not: Üretim durdurulmuş (obsolete) bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok