Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA143ZQBZ
PDTA143ZQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA143
PDTA143ZQBZ Hakkında
PDTA143ZQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kolektör akımı ve 180MHz geçiş frekansı ile çalışır. Entegre 4.7kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci sayesinde harici biyaslandırma gereksinimi olmadan kullanılabilir. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 340mW maksimum güç dağıtımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, sinyal işleme devrelerinde ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında kullanılır. SOT8015 paket standardı ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok