Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA143XQBZ
PDTA143XQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA143XQB
PDTA143XQBZ Hakkında
PDTA143XQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. 3-XDFN DFN1110D-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100 mA kolektör akımı ve 50V tutulum gerilimi ile çalışabilir. Dahili 4.7 kΩ baz direnci ve 10 kΩ emitter-baz direnci sayesinde harici biyolojik devre elemanlarına ihtiyaç duymaksızın anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 180 MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek mümkündür. Maksimum 340 mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında, özellikle sinyal anahtarlaması, lojik seviyeleme ve darbe kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok