Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA143EQBZ
PDTA143EQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA143EQ
PDTA143EQBZ Hakkında
PDTA143EQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar junction transistördür. Entegre base ve emitter dirençleri (her biri 4.7kΩ) ile donatılmış bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 180MHz transition frekansı ve 340mW güç kapasitesi ile düşük sinyalli lojik devrelerinde, sürücü uygulamalarında ve sensör ara yüzlerinde tercih edilir. 3-XDFN DFN1110D-3 paketiyle yüzey montajı için tasarlanmıştır. 50V kolektör-emitter dağılma gerilimi, geniş uygulama alanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok