Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA143EQAZ
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA143EQ
PDTA143EQAZ Hakkında
PDTA143EQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 3-XDFN Exposed Pad SMD paketi içerisinde entegre olan 4.7kΩ base ve emitter-base dirençleriyle, harici biasing ağı tasarımına gerek kalmadan doğrudan kullanıma hazır bir çözüm sunmaktadır. Maksimum 100mA kollektor akımı, 50V VCE(BR) dış gerilim yeteneği ve 180MHz geçiş frekansı ile lojik seviyeleri sürme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 280mW maksimum güç dağıtımı ve 150mV doyma gerilimi (saturation) özelliği ile düşük güç tüketimi gerektiren endüstriyel ve tüketici ürünlerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok