Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PDTA143EMB,315
TRANS PNP 50V 100MA DFN1006B-3
PDTA143EMB,315 Hakkında
PDTA143EMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DFN1006B-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışır. 180MHz transition frequency'si sayesinde orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 250mW maksimum güç disipasyonu ve 150mV saturation voltajı ile yapılandırılan bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük sinyal seviyesi amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) değeri 10mA collector akımında 5V vce'de minimum 30'dur. 1µA maksimum cutoff akımı ile yüksek input impedans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok