Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA143EK,115
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA143EK
PDTA143EK,115 Hakkında
PDTA143EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 250 mW güç kapasitesi ile tasarlanmış olan bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) SMD kasa türünde sunulmaktadır. Maksimum 100 mA kolektör akımına sahip olan transistör, 50 V çökertme gerilimine dayanabilmektedir. Entegre 4.7 kOhm taban ve emiter-taban dirençleri ile birlikte gelen bu ön beslemeli yapı, basit anahtar uygulamalarında ve düşük sinyalli amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Logik seviyeleri transistör devresine uyarlamak, röle sürücüleri tasarlamak ve sinyal anahtarlaması gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Bileşen güncel olarak üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok