Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA124XQBZ
PDTA124XQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA124
PDTA124XQBZ Hakkında
PDTA124XQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, kollektör akımı maksimum 100mA, transition frequency 180MHz ve 50V breakdown voltajı ile karakterizedir. Entegre 22kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri sayesinde harici biasing bileşenlerine ihtiyaç duymadan doğrudan kullanılabilir. 340mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle düşük voltaj sinyali işleme ve lojik devrelerinde tercih edilir. Surface mount teknolojisine uygun wettable flank özelliği ile otomatik lehimleme proseslerine elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok