Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA124ES,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA124ES
PDTA124ES,126 Hakkında
PDTA124ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 500mW güç dağıtabilir ve maksimum 100mA collector akımını destekler. Dahili 22kΩ base ve emitter-base dirençleri ile ön beslemeli tasarımı sayesinde, basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında direkt olarak kullanılabilir. 50V breakdown voltajı ve 150mV saturasyon voltajı ile voltaj kontrolü ve dijital sinyal işleme devrelerinde yer alır. Entegre direnç yapısı, minimum harici bileşen gereksinimiyle tasarım kolaylığı sağlar. Ön beslemeli transistörlerin tipik kullanım alanları arasında ses amplifikasyonu, aydınlatma kontrolü ve düşük güçlü anahtarlama uygulamaları bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok