Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA124EQBZ
PDTA124EQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA124EQ
PDTA124EQBZ Hakkında
PDTA124EQBZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli PNP BJT transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu komponent, temel ve emitter dirençleri (her biri 22 kΩ) entegre olarak tasarlanmıştır. 100 mA maksimum collector akımı, 50V breakdown voltajı ve 180 MHz transition frekansı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 340 mW maksimum güç tüketimine sahiptir. Surface mount montaj teknolojisine uygun olup, anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, mantık seviyeleri düşürme uygulamaları ve sinyal işlemesi gibi alanlarda tercih edilir. Entegre önyükleme dirençleri sayesinde minimum harici bileşen gerektirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok