Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA124EQAZ
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTA124EQA
PDTA124EQAZ Hakkında
PDTA124EQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. 50V collector-emitter kırılma gerilimi ile çalışan bu komponent, 100mA maksimum collector akımı ve 180MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Entegre 22kΩ base ve 22kΩ emitter-base dirençleri ile yapılı olan bu transistör, düşük sinyalleme uygulamalarında doğrudan kullanıma hazırdır. 280mW maksimum güç tüketimi ve 150mV doyum gerilimi ile belirtilen bu komponent, loojik seviyeleri kontrol etme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Surface mount DFN1010D-3 paketinde sunulan PDTA124EQAZ, kompakt tasarımlar ve yüksek entegrasyon gerektiren devrelerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok