Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PDTA124EMB,315
NEXPERIA PDTA124EMB - SMALL SIGN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- PDTA124EMB
PDTA124EMB,315 Hakkında
PDTA124EMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi pre-biased (ön yüklü) BJT transistördür. SC-101 / SOT-883 Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 180MHz geçiş frekansı özellikleri ile sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Entegre 22kΩ base ve emitter-base dirençleri ile standart elektronik devrelerde doğrudan uygulanabilir. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 250mW maksimum güç derecesi sayesinde güçlü sinyal işleme gereksinimi olan tasarımlara uygun bir seçenektir. Bilgisayar, haberleşme ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok