Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123YT,215
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
PDTA123YT,215 Hakkında
PDTA123YT,215, Nexperia tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emiter dirençleri (R1: 2.2kΩ, R2: 10kΩ) ile birlikte gelir. Maksimum 250mW güç tüketimine, 100mA toplayıcı akımına ve 50V kesilme gerilimine sahiptir. 150mV saturasyon gerilimine (Vce) ve 35 minimum akım kazancına (hFE) sahip olan bu transistör, hızlı anahtarlama ve dijital sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Entegre ön önyükleme dirençleri sayesinde, basit ve kompakt devre tasarımlarında tercih edilir. Ses frekans amplifikatörleri, dijital lojik arabirimleri ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok