Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123YS,126
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123YS
PDTA123YS,126 Hakkında
PDTA123YS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-92-3 kasa ile Through Hole montajına uygun olan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençlerine sahip ön beslemeli yapısı sayesinde basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 500mW güç tüketimi, 50V yüksek gerilim toleransı ve 100mA kolektör akımı kapasitesiyle düşük sinyal uygulamalarında tercih edilir. Sesli frekans amplifikatörleri, sinyal işleme ve kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok