Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTA123YE,115
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123YE
PDTA123YE,115 Hakkında
PDTA123YE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) silikon BJT transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu bileşen, 150 mW maksimum güç dağılımına sahiptir. Entegre olarak tasarlanmış 2.2 kΩ taban ve 10 kΩ emitter-baz dirençleri ile birlikte gelen transistör, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V kolektör-emitter kırılma gerilimi kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 5mA kolektör akımında ve 5V Vce'de minimum 35 değerine ulaşır. Doyma gerilimi (Vce sat) maksimum 150mV olup, anahtarlama uygulamalarında ve düşük sinyal seviyesinde kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Kolektör kesme akımı maksimum 1µA'dir. Nota: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok