Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PDTA123TMB,315
NEXPERIA PDTA123TMB - SMALL SIGN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- PDTA123TMB
PDTA123TMB,315 Hakkında
PDTA123TMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP pre-biased bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek entegrasyon ve kompakt tasarım gerektiren uygulamalarda kullanılır. Surface mount SC-101 (SOT-883) paketinde sunulan bu transistör, 100mA maksimum collector akımı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 250mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 180MHz transition frequency ile hızlı switching uygulamalarında tercih edilir. Dahili 2.2kΩ base resistor ile donatılmış olması, ön beslemeli tasarım sayesinde ekstra bileşen gereksinimini azaltır. Lojik seviyeleri sürme, sinyal anahtarlama ve düşük güçlü amplifikasyon devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok